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分立半导体
STH145N8F7-2AG参考图片

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STH145N8F7-2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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库存:6,248(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH145N8F7-2AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
26 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STH145N8F7-2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600V 16A Ultrafast
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6614
500:¥6.78
800:¥5.3449
参考库存:11020
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGIT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:670762
分立半导体
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥19.9784
10:¥16.2155
100:¥14.8256
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:18294
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0A 40V LF
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
5,000:¥3.4578
参考库存:1606
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
5,000:查看
参考库存:25923
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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