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分立半导体
STGFW40V60DF参考图片

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STGFW40V60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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库存:2,194(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.0358
38.0358
10
¥32.2728
322.728
100
¥27.9675
2796.75
250
¥26.5889
6647.225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PF
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGFW40V60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,STGFW40V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V IntelliFET N-CHN W/STATUS PIN
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.7574
1,000:¥5.3336
参考库存:5553
分立半导体
整流器 PLANAR ULTRAFAST 600V 8A
1:¥8.2264
10:¥7.0399
100:¥5.4127
500:¥4.7799
1,000:¥3.7742
参考库存:8505
分立半导体
肖特基二极管与整流器 23V 200mW Single
1:¥3.3787
10:¥2.4069
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
4,000:¥0.72207
参考库存:36617
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
1:¥7.7631
10:¥6.6896
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5821
2,500:¥3.5821
参考库存:15079
分立半导体
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench
1:¥8.6784
10:¥7.458
100:¥5.7291
500:¥5.0624
1,000:¥4.0002
2,500:¥4.0002
参考库存:159396
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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