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分立半导体
STGD20N40LZ参考图片

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STGD20N40LZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS
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数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
2,500
¥7.5371
18842.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
425 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
16 V
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD20N40LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGD20N40LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.66105
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分立半导体
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1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
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10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:46649
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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