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分立半导体
BSZ060NE2LSATMA1参考图片

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BSZ060NE2LSATMA1

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库存:46,360(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6217
46.217
100
¥2.9832
298.32
1,000
¥2.3843
2384.3
5,000
¥2.0114
10057
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
1.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
零件号别名
BSZ060NE2LS BSZ6NE2LSXT SP000776122
单位重量
35.300 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ060NE2LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
1,500:¥9.4468
4,500:¥9.0626
9,000:¥8.7575
参考库存:52841
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥132.3908
10:¥120.3337
25:¥111.2598
50:¥105.2708
参考库存:2976
分立半导体
MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
5,000:¥7.684
10,000:查看
参考库存:15043
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 15A 2x Common Cathode
1:¥13.673
10:¥10.9836
参考库存:7920
分立半导体
MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
500:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:23877
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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