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分立半导体

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APTGT50A120T1G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：2,318(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥426.3038
426.3038
5
¥413.3992
2066.996
10
¥401.263
4012.63
25
¥376.2109
9405.2725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
277 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格，APTGT50A120T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDZ9714Q-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:16883
SBR30A45CT
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 45V
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6784
1,000:¥7.1303
参考库存:1890
FSM14PL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
整流器 1A, 400V, Fast Recovery Rectifier
1:¥4.3844
10:¥2.5199
100:¥1.469
500:¥1.1865
2,500:¥0.76049
10,000:查看
参考库存:13967
STP03D200
STMicroelectronics
分立半导体
达林顿晶体管 2kV NPN Darlington trans
1:¥46.9515
10:¥42.4202
25:¥40.4201
100:¥35.1204
参考库存:6579
IPB160N08S4-03
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.447
1,000:¥11.3678
参考库存:3141

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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