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分立半导体
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JANTX2N3439

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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数量单价合计
1
¥114.0283
114.0283
10
¥103.6549
1036.549
25
¥95.8918
2397.295
50
¥90.6712
4533.56
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
集电极—基极电压 VCBO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
500 mV
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 20 mA, 10 V
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 20 mA, 10 V
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTX2N3439的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXMS6005DGTA
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Intellifet 200mohm 2A 490mJ
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:57071
IRFI4227PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:7688
FP50R12KE3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 1200V 50A PIM
1:¥893.265
5:¥875.75
10:¥834.8666
25:¥817.3516
参考库存:2920
VS-T40HF60
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 600 Volt 40 Amp
1:¥203.0158
5:¥193.8628
10:¥187.7947
25:¥172.5849
参考库存:3412
IRFI1010NPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC
1:¥13.3679
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
1,000:¥6.5879
参考库存:12779

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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