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分立半导体
IRL530NSTRRPBF参考图片

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IRL530NSTRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms
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数量单价合计
1
¥8.5315
8.5315
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
800
¥3.9211
3136.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
7.7 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
SP001552584
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格，IRL530NSTRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N973B-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
455:¥15.6731
500:¥14.0572
1,000:¥11.8311
2,500:¥11.30
参考库存:43305
2N2920L
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥241.5827
250:¥220.7568
参考库存:43310
1N3274
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥792.7628
参考库存:43315
CDLL5229B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
329:¥21.5943
500:¥19.21
1,000:¥16.2155
2,500:¥15.4471
参考库存:43320
JAN2N5582
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
105:¥74.9981
250:¥68.93
500:¥62.8506
1,000:¥54.7146
参考库存:43325

  • 海量现货

    50万现货SKU

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