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STGP20V60F参考图片

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STGP20V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存：6,025(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP20V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGP20V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-60APF06PBF
Vishay Semiconductors
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整流器 600 Volt 60 Amp
500:¥70.5346
1,000:¥64.7038
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BZD27C100P-HE3-18
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分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
50,000:¥0.99101
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BZD27B82P-HE3-08
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30,000:¥0.7684
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PTVA047002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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50:¥2,955.8088
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APTM100A23STG
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥913.8536
参考库存:54541

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