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分立半导体
IKB20N60H3参考图片

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IKB20N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT
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库存:11,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.8256
3706.4
1,000
¥11.2209
11220.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB20N60H3ATMA1 IKB2N6H3XT SP000852234
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IKB20N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥100.7395
10:¥99.7338
25:¥92.208
100:¥84.75
参考库存:2021
分立半导体
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.1642
1,000:¥5.9325
参考库存:4083
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:68985
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:1847
分立半导体
稳压二极管 33V
1:¥3.842
10:¥2.7685
100:¥1.6159
1,000:¥0.68365
1,800:¥0.59212
参考库存:18519
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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