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分立半导体
NST65011MW6T1G参考图片

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NST65011MW6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual MatchedNPN Tra
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
600 mV
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格，NST65011MW6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N4108C-1
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50:¥951.121
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JAN1N3821DUR-1/TR
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5:¥570.1528
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分立半导体
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100:¥299.5178
200:¥279.5394
参考库存:36417
JANS1N4118CUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
50:¥1,171.8891
参考库存:36422

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