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分立半导体
IGT60R190D1SATMA1参考图片

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IGT60R190D1SATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
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数量单价合计
1
¥100.5022
100.5022
10
¥92.434
924.34
25
¥88.592
2214.8
100
¥78.0717
7807.17
2,000
¥57.4718
114943.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
55.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolGaN
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001701702
商品其它信息
优势价格，IGT60R190D1SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL4120/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥43.0304
10:¥34.578
100:¥31.5835
200:¥28.5099
500:¥25.5832
参考库存:57241
1N821/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥29.4252
242:¥29.4252
500:¥26.4307
1,000:¥22.2836
2,500:¥21.2101
参考库存:57246
JAN1N3029B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥69.4611
113:¥69.4611
200:¥63.8563
500:¥58.2402
1,000:¥50.7144
参考库存:57251
1N5926C
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
157:¥45.5616
250:¥41.8778
500:¥38.1149
1,000:¥33.2672
参考库存:57256
JAN1N963CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥89.5977
200:¥81.6764
500:¥76.4558
1,000:¥70.0826
参考库存:57261

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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