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分立半导体
SQJA06EP-T1_GE3参考图片

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SQJA06EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.0851
70.851
100
¥5.4353
543.53
500
¥4.6782
2339.1
1,000
¥3.6838
3683.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
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