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分立半导体
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IGB10N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
1,000
¥5.876
5876
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB10N60TATMA1 IGB1N6TXT SP000456678
单位重量
1.556 g
商品其它信息
优势价格，IGB10N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UZ8745
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥227.9888
5:¥217.7623
10:¥210.9258
25:¥193.8628
参考库存:36725
JANTX1N6329US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥154.9117
250:¥142.154
500:¥135.2384
参考库存:36730
1N4111UR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
249:¥31.7304
250:¥28.589
500:¥25.6623
1,000:¥21.6734
参考库存:36735
ALD910016SALI
Advanced Linear Devices
分立半导体
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:36740
JANS2N2219AL
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥675.8869
100:¥661.2082
参考库存:36745

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