SIHA180N60E-GE3详细参数_参考价格_SIHA180N60E-GE3 PDF资料_Vishay / Siliconix

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220FP-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Id-连续漏极电流	19 A
Rds On-漏源导通电阻	180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	3 V
Vgs - 栅极-源极电压	30 V
Qg-栅极电荷	33 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	33 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
系列	E
晶体管类型	1 N-Channel E-Series Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	5.3 S
下降时间	23 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	49 ns
工厂包装数量	1
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	14 ns

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTMFS5H615NLT1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET T8 60V LOW COSS	1,500:¥10.0683	参考库存:47367
SP000934752	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 40A TISON-8	5,000:¥2.5764 10,000:¥2.486 25,000:¥2.4069	参考库存:47372
SMBG5373BE3/TR13	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	3,000:¥6.2037 6,000:¥5.9777 9,000:¥5.5257	参考库存:47377
IPLK80R1K4P7ATMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET	5,000:¥3.3674 10,000:¥3.2431 25,000:¥3.1414	参考库存:47382
VS-20ETF06S-M3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3	1:¥22.5096 10:¥18.7467 100:¥14.5205 500:¥12.6786 1,000:¥10.5316	参考库存:47387