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分立半导体
SI1965DH-T1-E3参考图片

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SI1965DH-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC70-6
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库存：12,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.3108
3932.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
Rds On-漏源导通电阻
390 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SI1965DH-E3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，SI1965DH-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6430
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
2,000:¥31.6626
参考库存:52793
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9,000:¥0.53788
24,000:¥0.50737
45,000:¥0.45313
99,000:¥0.43844
参考库存:52798
RGL41DHE3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1 Amp 200 Volt 150ns
6,000:¥1.00683
9,000:¥0.94468
24,000:¥0.86784
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1N5375BE3/TR8
Microsemi
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥15.2098
2,000:¥14.4414
5,000:¥13.221
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Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:81813

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