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分立半导体
IPP052NE7N3 G参考图片

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IPP052NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:6,386(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
1,000
¥8.6784
8678.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
51 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
103 S, 52 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP52NE7N3GXK SP000641726
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP052NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 33 Volt 1 Watt 10%
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
1,500:¥0.82264
4,500:查看
参考库存:73383
分立半导体
整流器 800 V tandem hyperfast diode
1:¥25.9674
10:¥22.0576
100:¥19.1309
250:¥18.1365
参考库存:4915
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.39211
参考库存:156322
分立半导体
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.1472
10:¥4.9042
100:¥3.729
2,500:¥3.729
参考库存:16904
分立半导体
MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
1:¥18.6676
10:¥15.8313
100:¥12.6786
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
参考库存:6701
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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