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分立半导体
NTMS4816NR2G参考图片

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NTMS4816NR2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
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1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8081
38.081
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9662
1966.2
2,500
¥1.6724
4181
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
12.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.04 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
5 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTMS4816N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
4 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21.6 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,NTMS4816NR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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2,000:¥5.7743
5,000:¥5.5596
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参考库存:53334
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