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分立半导体
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NTLJS2103PTBG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025
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1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6951
36.951
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
3,000
¥1.6159
4847.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
5.9 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTLJS2103P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
74 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR20H100CTHC0
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50:¥389.4206
100:¥384.2791
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参考库存:53494
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3,500:¥23.3571
参考库存:53504

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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