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分立半导体
DXT3904-13参考图片

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DXT3904-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000mW 40Vceo
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DXT3904
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,DXT3904-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat
1:¥6.9947
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
参考库存:23367
分立半导体
MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:17739
分立半导体
IGBT 模块
1:¥291.6869
5:¥281.8446
10:¥272.7029
25:¥252.1934
参考库存:1736
分立半导体
整流器 Turbo II Ultrafast High Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:30113
分立半导体
整流器 H ULTRAFAST DIODE
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
5,000:¥1.4238
参考库存:28715
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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