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分立半导体
FQB6N40CTM参考图片

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FQB6N40CTM

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库存:5,866(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.3789
3689.45
800
¥6.1133
4890.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
830 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
73 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB6N40C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
4.7 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FQB6N40CTM_NL
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB6N40CTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE
10:¥1,054.9341
30:¥1,032.8087
参考库存:42555
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 GP Sup Fast Si Rect SMC,3A,200V,35ns,GP
3,000:¥1.09836
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18,000:¥0.23843
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3,000:¥0.33787
9,000:¥0.24634
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
参考库存:42575
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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