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分立半导体
NTMS4916NR2G参考图片

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NTMS4916NR2G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4692
54.692
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
2,500
¥2.3843
5960.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11.6 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Qg-栅极电荷
15 nC
Pd-功率耗散
1.3 W
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NTMS4916N
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
15.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，NTMS4916NR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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4,000:¥1.9888
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整流器 Recovery Diode Ultra Fast
1:¥23.8995
10:¥20.2835
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500:¥14.9838
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JANS1N7052UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
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50:¥1,175.1096
100:¥1,175.1096
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1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:7280

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