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分立半导体
APT45GR65B参考图片

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APT45GR65B

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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库存:3,055(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥38.8833
388.833
25
¥38.194
954.85
100
¥35.4255
3542.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
118 A
Pd-功率耗散
543 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
118 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
118 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Ultra Fast NPT-IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT45GR65B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 FS3 T TO247 40A 65
1:¥41.1094
10:¥36.8832
100:¥30.6569
250:¥28.589
参考库存:3392
分立半导体
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥22.5096
10:¥19.1309
100:¥15.2889
500:¥13.3679
5,000:¥9.9101
参考库存:15994
分立半导体
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥44.4881
10:¥37.8098
100:¥32.7361
250:¥31.0411
参考库存:2751
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
1,500:¥1.4238
4,500:查看
参考库存:30873
分立半导体
整流器 Field-Effect Rectifier Diode 60V
1:¥6.4523
10:¥5.3562
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:10710
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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