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分立半导体
IGW40T120参考图片

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IGW40T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
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数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.6461
1016.1525
100
¥35.2673
3526.73
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40T120FKSA1 IGW4T12XK SP000013886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW40T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
1:¥14.7578
10:¥13.3679
100:¥10.7576
500:¥8.3733
2,000:¥6.5653
4,000:查看
参考库存:14683
分立半导体
整流器 RECTIFIER SUPERFAST PWRDI 1.0A 400V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:307105
分立半导体
整流器 100V 1A
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.61472
参考库存:364247
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600 Volt 300 Amp
1:¥305.213
5:¥291.4496
10:¥282.3079
25:¥259.4141
50:¥253.346
参考库存:4689
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH DIODE FLT LD 1.25x2.5mm
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.94468
500:¥0.46104
3,000:¥0.26103
9,000:查看
参考库存:151431
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    50万现货SKU

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