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分立半导体
IRFP4368PBF参考图片

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IRFP4368PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
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数量单价合计
1
¥50.172
50.172
10
¥45.3356
453.356
25
¥43.2564
1081.41
100
¥37.5725
3757.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
350 A
Rds On-漏源导通电阻
1.46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
380 nC
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001556774
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IRFP4368PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR20H100CTHC0
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3,500:¥23.3571
参考库存:53504

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