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分立半导体
IPP020N06NAKSA1参考图片

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IPP020N06NAKSA1

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库存:4,427(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.4309
30.4309
10
¥25.8205
258.205
100
¥22.3627
2236.27
250
¥21.2101
5302.525
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
OptiMOS Power
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
45 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP020N06N IPP2N6NXK SP000917406
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP020N06NAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
2,500:¥3.5369
参考库存:97526
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
1:¥154.4484
100:¥141.0805
500:¥127.6335
参考库存:3398
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6
1:¥27.7415
10:¥23.5153
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:2855
分立半导体
整流器 30A 600V
1:¥12.9046
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6501
1,000:¥6.328
参考库存:42537
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
参考库存:13109
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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