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分立半导体
IKW20N60T参考图片

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IKW20N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW20N60TFKSA1 IKW2N6TXK SP000054886
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IKW20N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
参考库存:2523
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
500:¥14.0572
参考库存:12185
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
参考库存:18132
分立半导体
MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
1:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:24224
分立半导体
MOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
2,500:¥9.5259
参考库存:41986
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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