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产品分类

分立半导体
IPB530N15N3 G参考图片

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IPB530N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 21A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:5,324(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.91
791
500
¥7.0512
3525.6
1,000
¥5.5709
5570.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPB530N15N3GATMA1 IPB53N15N3GXT SP000521718
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB530N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
3,000:¥16.3624
参考库存:13189
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
1:¥17.1308
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:10476
分立半导体
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥6.0229
100:¥4.5765
500:¥3.7855
3,000:¥2.7346
6,000:查看
参考库存:389338
分立半导体
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.0228
参考库存:13940
分立半导体
整流器 RECTIFIER
1:¥152.1432
5:¥150.6064
10:¥140.3912
25:¥134.0858
100:¥119.8704
参考库存:2897
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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