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分立半导体
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FDP10N60NZ

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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
1,000
¥6.893
6893
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
640 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
185 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP10N60NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
50 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 nS
典型接通延迟时间
25 nS
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP10N60NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QSL12TR
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:12527
CLL4734A TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 MELF 5.6V 1W Zener
1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥1.2317
1,000:¥0.89948
1,500:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:32669
KSA614Y
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
参考库存:5961
IPW60R075CP
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
参考库存:4013
TYN825RG
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 25 Amp 800 Volt
1:¥20.3626
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:5685

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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