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FDP55N06

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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0964
3548.2
1,000
¥5.5935
5593.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP55N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP55N06的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS36L RQG
Taiwan Semiconductor
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肖特基二极管与整流器 3A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
20,000:¥0.7458
参考库存:45584
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70:¥223.3784
100:¥207.5471
200:¥190.4841
500:¥181.3424
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20,000:¥0.5537
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分立半导体
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15,000:¥0.86106
参考库存:45604

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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