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分立半导体
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FDP3672

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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Id-连续漏极电流
41 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
135 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP3672
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FDP3672_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP3672的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FESB8GTHE3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 8.0A 400 Volt 50ns 125 Amp IFSM
1:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥5.8986
800:¥4.6443
参考库存:29874
DMP3165L-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:29879
NVMFS6H852NWFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥8.2264
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,500:¥3.3222
9,000:查看
参考库存:89459
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
1:¥8.2942
10:¥6.7913
100:¥5.2093
500:¥4.4748
800:¥4.4748
参考库存:29886
SMZJ3802B-E3/5B
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 1.5W 5%
1:¥3.5369
10:¥2.373
100:¥1.6046
500:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,200:¥0.89157
参考库存:29891

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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