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分立半导体
IPD30N08S222ATMA1参考图片

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IPD30N08S222ATMA1

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库存:16,962(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4918
2745.9
2,500
¥3.842
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
17.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPD30N08S2-22 IPD3N8S222XT SP000252169
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD30N08S222ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥23.052
10:¥19.21
100:¥14.9047
500:¥12.9837
1,000:¥10.8367
参考库存:7322
分立半导体
整流器 80V 150mW
1:¥2.6894
10:¥1.8193
100:¥0.76049
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:60054
分立半导体
MOSFET SO-8 N-CH 30V
1:¥4.8364
10:¥3.9889
100:¥2.4295
1,000:¥1.8758
2,500:¥1.6046
参考库存:25936
分立半导体
MOSFET SO-8 SGL N-CH 2.5V
1:¥4.3844
10:¥3.5934
100:¥2.3165
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.8645
参考库存:121658
分立半导体
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
1:¥15.9782
10:¥13.447
100:¥12.1362
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
参考库存:24135
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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