FDMS7694详细参数_参考价格_FDMS7694 PDF资料_ON Semiconductor / Fairchild

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Power-56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	13.2 A
Rds On-漏源导通电阻	11.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	15 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	27 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
商标名	PowerTrench
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	6 mm
系列	FDMS7694
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel Power Trench MOSFET
宽度	5 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
下降时间	1.6 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	8.4 ns
单位重量	74 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IPD50N06S409ATMA2	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	1:¥8.6784 10:¥7.4128 100:¥5.6952 500:¥5.0285 2,500:¥3.5256 10,000:查看	参考库存:54949
SIR882DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts	1:¥19.3682 10:¥16.1364 100:¥12.4526 500:¥10.9158 1,000:¥10.3734 3,000:¥10.3734	参考库存:8526
SQM120P10_10M1LGE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs	1:¥27.5042 10:¥24.5888 100:¥20.0575 250:¥18.3625	参考库存:14613
STL90N10F7	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-CH 100V 0.009Ohm 16A STripFET VII	1:¥22.2045 10:¥18.9049 100:¥16.3624 250:¥15.5262 3,000:¥11.1418 6,000:查看	参考库存:13900
STTH1512GY-TR	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Auto ultrafast Recovry Hi VTG diode	1:¥24.0464 10:¥20.4417 100:¥17.7523 250:¥16.8257 1,000:¥12.7577 2,000:查看	参考库存:6592