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分立半导体
STD2HNK60Z-1参考图片

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STD2HNK60Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 600V-4.4ohms Zener SuperMESH 2A
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9.0626
10
¥7.684
76.84
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2206
2610.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD2HNK60Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.5 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD2HNK60Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥4.972
100:¥4.4748
1,000:¥4.068
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1:¥14.2945
10:¥12.9837
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1:¥5.2997
10:¥4.8364
100:¥3.729
500:¥2.7685
1,250:¥2.0566
参考库存:45444
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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