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分立半导体
BFP 540 H6327参考图片

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BFP 540 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
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10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
3,000
¥1.4577
4373.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
0.08 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
14 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
工作频率
30000 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540H6327XTSA1 BFP54H6327XT SP000745288
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 540 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:11795
分立半导体
MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
1:¥7.8422
10:¥6.4749
100:¥4.9607
500:¥4.2714
2,500:¥4.2714
参考库存:27542
分立半导体
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
1:¥7.684
10:¥6.5314
100:¥5.0285
500:¥4.4409
2,500:¥3.1075
10,000:查看
参考库存:33984
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.7685
10:¥1.9775
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
2,000:¥0.5989
参考库存:82131
分立半导体
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
1:¥12.1362
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8252
5,000:¥5.0737
10,000:查看
参考库存:23563
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    50万现货SKU

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