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分立半导体
CSD23203W参考图片

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CSD23203W

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.2996
32.996
100
¥2.0114
201.14
1,000
¥1.5594
1559.4
3,000
¥1.3334
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
6.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
750 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD23203W
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
14 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD23203W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 11V 50MA
1:¥2.9945
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.47686
参考库存:47967
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL 30 / 40
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,000:¥9.1417
4,000:¥9.1417
参考库存:47972
分立半导体
整流器 2A, 50V, 35NS, RECTIFIER
1:¥5.3788
10:¥4.9155
100:¥3.2092
1,000:¥1.07576
3,500:¥0.88366
参考库存:47977
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A,90V, SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.2942
10:¥7.3789
25:¥6.6444
100:¥5.8082
800:¥3.5595
2,400:查看
参考库存:47982
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL TRANSISTOR -100MA-50V
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:47987
  • 海量现货

    50万现货SKU

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