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分立半导体
FGA30N120FTDTU参考图片

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FGA30N120FTDTU

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库存:5,097(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.7934
48.7934
10
¥41.4936
414.936
100
¥35.9566
3595.66
250
¥34.1147
8528.675
500
¥30.5778
15288.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
339 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA30N120FTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.1 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA30N120FTDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 600V 8A Sensing
1:¥13.2888
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5258
1,000:¥6.2376
参考库存:3846
分立半导体
整流器 800V 1.2A Surf Mnt Fast Rec Rectifier
1:¥2.8476
10:¥2.0001
100:¥0.92208
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.60681
参考库存:11598
分立半导体
整流器 400V VR 1.5A IO SOD-128; PMDTM
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:31280
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:6262
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥18.2156
10:¥15.142
100:¥11.752
500:¥10.2943
1,000:¥8.5315
参考库存:6284
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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