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FGP10N60UNDF

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数量单价合计
1
¥14.6787
14.6787
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.6784
4339.2
1,000
¥7.2433
7243.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
139 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGP10N60UNDF
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FGP10N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZW03D33-TAP
Vishay Semiconductors
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12,500:¥3.9437
参考库存:54037
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3,000:¥7.8422
6,000:¥7.571
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500:¥74.9981
1,000:¥68.8509
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4,000:¥6.102
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BZT03D39-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
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25,000:¥1.5368
参考库存:54057

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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