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分立半导体
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BFU530R

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.7402
174.02
1,000
¥1.3447
1344.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
10 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
11 GHz
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067703215
单位重量
9 mg
商品其它信息
优势价格,BFU530R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 100V 200mA
1:¥0.84524
10:¥0.70738
100:¥0.25312
1,000:¥0.1695
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:460714
分立半导体
稳压二极管 12 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:153866
分立半导体
IGBT 晶体管 1300V 30A FS SA Trench IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
500:¥25.5154
参考库存:5718
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A 100V H-SER SCHOTTKY
1:¥31.2784
10:¥26.5889
100:¥23.052
250:¥21.8203
参考库存:3990
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥3.7629
10:¥2.4182
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:59262
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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