APT100GT120JRDQ4详细参数_参考价格_APT100GT120JRDQ4 PDF资料_Microsemi

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	3.2 V
在25 C的连续集电极电流	123 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	570 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GT120JRDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CZRF2V4B-HF	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 0.20W, VR=2.4V	1:¥2.6894 10:¥1.7176 100:¥0.77631 1,000:¥0.49155 4,000:¥0.37629	参考库存:22782
S1M-LTP	Micro Commercial Components (MCC)	分立半导体	PDF数据手册	整流器 50Vrm 30Ifsm 1.1V 1000V 700Vrms 1000V	3,000:¥0.43053 9,000:¥0.36838 24,000:¥0.34578 45,000:¥0.32318 99,000:¥0.28476	参考库存:25287
KTC3198-GR A1G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Hfe 200-400	1:¥3.2996 10:¥2.9945 100:¥1.9775 1,000:¥0.66105 4,000:¥0.54579 8,000:查看	参考库存:25292
CZRL55C3V0-G	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 VZ=3.0V, 5mA	1:¥3.4578 10:¥1.9323 100:¥0.92208 1,000:¥0.63732 2,500:¥0.48364	参考库存:25297
TSSA3U60 E3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 Trench Schottky SMD 3amp 60v	1:¥3.616 10:¥2.8476 100:¥1.9323 500:¥1.3334 1,800:¥0.88366 3,600:查看	参考库存:25302