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分立半导体
CSD17579Q3AT参考图片

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CSD17579Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
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库存:11,874(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.5764
257.64
250
¥2.5764
644.1
1,000
¥2.0679
2067.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
11.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17579Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2 ns
单位重量
27.300 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17579Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
2,500:¥2.8137
10,000:查看
参考库存:53081
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30A 45V DUAL TrenchMOS
1:¥16.3624
10:¥13.6052
100:¥10.5316
500:¥9.2208
1,000:¥7.6275
参考库存:12378
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
1:¥118.0285
10:¥107.1127
25:¥99.2818
50:¥93.5866
参考库存:5370
分立半导体
MOSFET 60V P-Channel QFET
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.2713
参考库存:150467
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
1:¥37.0414
100:¥30.8942
500:¥26.4307
1,000:¥23.1311
参考库存:25209
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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