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分立半导体
FF450R07ME4_B11参考图片

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FF450R07ME4_B11

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库存:2,620(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,086.3594
1086.3594
5
¥1,065.0024
5325.012
10
¥1,015.3615
10153.615
25
¥994.0045
24850.1125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
560 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R07ME4B11BOSA1 SP000725482
商品其它信息
优势价格,FF450R07ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:144950
分立半导体
稳压二极管 500MW 5.6V LF
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:41412
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:54754
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥312.897
5:¥302.3654
10:¥292.5344
25:¥270.5559
参考库存:54069
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.2W 2% AUTO
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:47011
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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