BAS40DW-05-7-F详细参数_参考价格_BAS40DW-05-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Diodes
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363
If - 正向电流	200 mA
Vrrm - 重复反向电压	40 V
Vf - 正向电压	1 V
Ifsm - 正向浪涌电流	0.6 A
配置	Double Dual Common Cathode
技术	Si
Ir - 反向电流	0.2 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
系列	BAS40TW/DW-04/DW-05/DW-06/BRW
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
端接类型	SMD/SMT
类型	Surface Mount Schottky Barrier Diode Array
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
Pd-功率耗散	200 mW
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	3000
子类别	Diodes & Rectifiers
trr - 反向恢复时间	5 ns
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TISP61089ASDR-S	Bourns	分立半导体	PDF数据手册	SCR Dual P Gate Forward Conducting	1:¥10.5994 10:¥8.5315 100:¥6.5427 500:¥5.7856 2,500:¥4.0454 10,000:查看	参考库存:42734
DMP6050SPS-13	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V	1:¥5.0737 10:¥4.1697 100:¥2.6894 1,000:¥2.147 2,500:¥2.147	参考库存:19644
J113	InterFET	分立半导体	PDF数据手册	JFET N-Ch JFET -35V -3Vds 50mA 360mW 3.27mW	1:¥25.4363 10:¥20.4417 100:¥16.8257 500:¥15.142	参考库存:6481
IPW60R125C6FKSA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6	1:¥39.0302 10:¥33.1203 100:¥28.7359 250:¥27.2782	参考库存:5543
F1842DH1600	Crydom	分立半导体	PDF数据手册	分立半导体模块 40A 600VAC MODULE SCR/DIODE	1:¥619.4095 10:¥614.8782 25:¥600.7306 50:¥586.5943 100:¥569.5426	参考库存:42745