您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
BAT5406E6327HTSA1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BAT5406E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 肖特基二极管与整流器 30V 0.2A
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:150,393(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.3843
2.3843
10
¥1.6498
16.498
100
¥0.69156
69.156
1,000
¥0.46895
468.95
3,000
¥0.36838
1105.14
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
肖特基二极管与整流器
RoHS
产品
Schottky Diodes
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
If - 正向电流
200 mA
Vrrm - 重复反向电压
-
Vf - 正向电压
800 mV
Ifsm - 正向浪涌电流
600 mA
配置
Common Anode
技术
Si
Ir - 反向电流
2 uA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BAT54
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
230 mW
产品类型
Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压
30 V
零件号别名
54-06 BAT BAT546E6327XT E6327 SP000068510
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BAT5406E6327HTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:6911
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
1:¥15.0629
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9948
2,500:¥6.8817
5,000:查看
参考库存:16608
分立半导体
MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.7629
100:¥2.4295
1,000:¥1.9436
3,000:¥1.6498
9,000:查看
参考库存:6195
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
4,000:¥0.59212
参考库存:284402
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:352874
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们