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分立半导体
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TPS1101D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
791 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1101
晶体管类型
1 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格，TPS1101D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N4099-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥95.9709
10:¥87.2925
25:¥80.7611
50:¥76.3767
参考库存:38581
RSQ025P03TR
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
1:¥4.5313
10:¥3.7403
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6272
参考库存:38586
JAN2N1893S
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥294.6023
5:¥279.8558
10:¥272.556
25:¥250.4193
参考库存:38591
801-1
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 Single Phase Bridge
1:¥2,748.1826
5:¥2,582.5924
参考库存:38596
TFZTR7.5B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER TUMD2 1913 SIZE 7.5V
1:¥3.2318
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:38601

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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