您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
RGT80TS65DGC11参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

RGT80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A IGBT Stop Trench
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:6,743(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.2726
28.2726
10
¥24.0464
240.464
100
¥20.905
2090.5
250
¥19.8202
4955.05
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
234 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT80TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT80TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGT80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.4417
参考库存:36273
分立半导体
稳压二极管 1.5 Watt 13 Volt 5%
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,200:¥1.4238
6,400:查看
参考库存:25770
分立半导体
双向可控硅 TRIAC
1:¥9.7632
10:¥8.6106
25:¥7.7631
100:¥6.8026
参考库存:25775
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier
1:¥4.068
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:25780
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
5,000:¥3.1527
10,000:查看
参考库存:25785
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们