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产品分类

分立半导体
IPD30N08S2-22参考图片

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IPD30N08S2-22

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库存:12,513(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4918
2745.9
2,500
¥3.842
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
17.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPD30N08S222ATMA1 IPD3N8S222XT SP000252169
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD30N08S2-22的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:3169
分立半导体
桥式整流器 VR=1000V IAV=0.8A
1:¥3.4578
10:¥2.5538
100:¥1.7402
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.02943
参考库存:25041
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 200mW 5%
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥0.9831
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.31527
参考库存:35613
分立半导体
整流器 800 Volt 40 Amp
1:¥105.881
10:¥96.2082
20:¥89.0553
50:¥84.2189
参考库存:1715
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Sil Transistor
1:¥7.1416
10:¥6.0681
100:¥4.6556
500:¥4.1132
参考库存:7157
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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