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分立半导体
TPH8R903NL,LQ参考图片

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TPH8R903NL,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
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库存:48,358(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥4.6443
46.443
100
¥2.9945
299.45
1,000
¥2.3956
2395.6
3,000
¥2.034
6102
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
10.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
24 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH8R903NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8.3 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH8R903NL,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode DO214-HE3
1:¥4.6104
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
参考库存:26216
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.0002
10:¥3.051
100:¥1.6498
1,000:¥1.243
3,000:¥1.06785
9,000:¥0.99892
参考库存:18296
分立半导体
稳压二极管 160 Volt 1.5W 5%
1:¥4.0002
10:¥2.7233
100:¥1.8419
500:¥1.4803
3,000:¥1.01474
6,000:查看
参考库存:26223
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 1.0W 5%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,500:¥1.7854
4,500:查看
参考库存:26228
分立半导体
MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.808
参考库存:26233
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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