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分立半导体
IPB031NE7N3 G参考图片

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IPB031NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.8313
3957.825
1,000
¥11.9893
11989.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
75 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPB031NE7N3GATMA1 IPB31NE7N3GXT SP000641730
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB031NE7N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥30.1258
10:¥24.8939
100:¥20.5208
250:¥19.8993
500:¥17.8314
参考库存:12559
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCW66F/SOT23/TO-236A
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
参考库存:91411
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.5369
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
1,500:¥0.90626
4,500:查看
参考库存:28808
分立半导体
整流器 1A, 1000V, SMA
1:¥2.6894
10:¥1.7854
100:¥0.87575
500:¥0.7458
1,800:¥0.44522
3,600:查看
参考库存:31000
分立半导体
整流器 Automotive Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:18542
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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