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分立半导体
BSZ086P03NS3GXT参考图片

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BSZ086P03NS3GXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
5,000
¥2.2035
11017.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
57.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSZ086P03NS3 BSZ086P03NS3GATMA1 G SP000473024
商品其它信息
优势价格,BSZ086P03NS3GXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Rectifier FRD 30V-VR 3A-IO Single
1,500:¥1.3786
参考库存:43038
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3,000:¥0.33787
9,000:¥0.24634
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
参考库存:43043
分立半导体
JFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
暂无价格
参考库存:43048
分立半导体
稳压二极管 SOT23 Zener 300mW 27V
18,000:¥0.23843
参考库存:43053
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 15.645V 3% 500mW
3,000:¥0.51528
9,000:¥0.46104
24,000:¥0.43053
45,000:¥0.3842
99,000:¥0.36838
参考库存:43058
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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