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分立半导体
FP75R07N2E4参考图片

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FP75R07N2E4

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库存:2,976(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥696.1704
696.1704
5
¥683.4127
3417.0635
10
¥652.5976
6525.976
25
¥630.8564
15771.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP75R07N2E4BOSA1 SP000843284
商品其它信息
优势价格,FP75R07N2E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1303
参考库存:19582
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 75V NPN HighG
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8365
1,000:¥5.3901
参考库存:37014
分立半导体
MOSFET -80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
3,000:¥9.5259
参考库存:8031
分立半导体
整流器 5.0 Amp 600 Volt
1:¥6.6896
10:¥5.6613
100:¥4.3505
500:¥3.842
参考库存:31813
分立半导体
MOSFET MOSFT 40V 350A 1.7mOhm 220nC Qg
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:9950
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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